东发改〔2023〕225号

各镇人民政府（街道办事处）、市府直属各有关单位：

　　《东【dōng】莞市促【cù】进半导体及集成电路【lù】产【chǎn】业【yè】集【jí】聚区发展若干政策》业经市人民【mín】政府同意，现印发给你们，请认真贯彻执行。

东莞市发展和改革局

9-21  

东莞市关于促进半导体及集成电路产业集聚区发展的若干政策

　　为贯彻落实《广东省【shěng】培育半导体及集成电【diàn】路【lù】战【zhàn】略性新【xīn】兴产【chǎn】业集群【qún】行动计划（2021—2025年）》和《东莞市【shì】发展半导【dǎo】体及集成电路战略性支柱产业【yè】集【jí】群行动计划【huá】（2022—2025年）》的工作要求，打造半导体【tǐ】及集成电【diàn】路产【chǎn】业集聚发展【zhǎn】新高地，推动经济【jì】高质量发展，结合我市实际，制定以【yǐ】下【xià】政策措施。

　　本政策所称半【bàn】导【dǎo】体及集成【chéng】电路企业【yè】（单【dān】位）是【shì】指具有独立法【fǎ】人资格，实【shí】行单独核算，经营场所、工商注册地、税务登【dēng】记及【jí】统计关系均【jun1】在东莞市半【bàn】导体及集成电路产【chǎn】业集聚区【qū】内，专门从事半导体及集成电路【lù】的设计、制【zhì】造【zào】、封【fēng】测、装备、材料和新型应用生产及研发【fā】经营活动的相关企业（单位）。

　　一、支持企业引进和培育

　　（一）打造特色【sè】产业【yè】集聚【jù】区。以松山湖片区【qū】、滨海湾新区、临深新【xīn】一代电子信息产业基地为核心区域，突出【chū】以应用为【wéi】牵引【yǐn】，积【jī】极引进培育【yù】高【gāo】端芯片、先进【jìn】封装【zhuāng】测试【shì】、半导体【tǐ】元器件、半导体装备生【shēng】产【chǎn】、化合物半导体项目，打造集成电【diàn】路与芯片集聚特色发展高地。支持【chí】第三代半导体、集【jí】成电路设计、先进封测、半导体装备等特【tè】色产业园区【qū】建设，对于产【chǎn】业【yè】特【tè】色突出、服务功能健全、产【chǎn】值【zhí】增长较快的产业园区，经认定【dìng】给予最【zuì】高1000万【wàn】元奖【jiǎng】励。

　　（二【èr】）支【zhī】持重大战略项【xiàng】目落户。支持引进重大半导体及集【jí】成电路【lù】战略【luè】性和补链强链【liàn】项目，对半【bàn】导【dǎo】体【tǐ】及集成电路【lù】设计、制造、化合物半导体、先进【jìn】封装测试【shì】、半导【dǎo】体装备等【děng】关键环节的重大项目引入【rù】“一事一【yī】议”支持，在【zài】项目【mù】设备投【tóu】入、用地、能耗、环保排放指标、金融等方面予【yǔ】以重点支持。

　　（三）加强企业成长激励。对半【bàn】导体及【jí】集成电路设计研发类企业，年度营业收入【rù】首次突破1亿元、3亿元【yuán】、5亿元、10亿元、20亿元的【de】企业，分别给予不超过100万元、200万元、300万【wàn】元、400万元、500万元的一次性奖励。对半【bàn】导体及集成电路【lù】制造【zào】、封【fēng】装测试【shì】、化合物半导【dǎo】体【tǐ】、装备及材料企业，年【nián】度营【yíng】业收入【rù】首次突破3亿元、5亿元、10亿【yì】元、20亿【yì】元、30亿元的，分别给予不超过100万元、200万元、300万元、400万元【yuán】、500万元的【de】一次性【xìng】奖励。每【měi】上【shàng】一【yī】个台阶奖励一次。

　　（四）支持产业链上下游联动发展。支持【chí】“芯机联动”，鼓励终端厂商【shāng】和【hé】系【xì】统方案集成商采购本土半导体及集成电路企业【yè】自主研【yán】发设计的芯片【piàn】、模组、装备和材料。开发产业链供应链对接【jiē】平台，推动“链主”企业滚动发布产【chǎn】品【pǐn】（服务）需求清单，收集【jí】产业链【liàn】企业配套产品（服务【wù】）供【gòng】给【gěi】清单，加强【qiáng】供需对接【jiē】匹配。强化产业链【liàn】上下游协【xié】同，支持成立【lì】东莞【wǎn】市集成电【diàn】路【lù】行业协会等社会组织发展，对行业【yè】协【xié】会等社会【huì】组织【zhī】予以一定资助，支持其【qí】整合产【chǎn】业链上下游资源，开展产学研合作、标准制定、决策咨询、行业交【jiāo】流【liú】等服【fú】务【wù】活动，打造半导体及集【jí】成【chéng】电路创新“生态圈”，形成特色【sè】聚集【jí】生态。

　　二、支持产品研发和应用

　　（五）支持关键技术研发【fā】。支持半导体及集成【chéng】电【diàn】路企业在高端芯片、先【xiān】进【jìn】封装测试、化合物半【bàn】导体等领域开展具有重大创新【xīn】性和突【tū】破性的技【jì】术研发【fā】项目，纳入《东【dōng】莞【wǎn】市重大【dà】科技项目实施【shī】办法【fǎ】（试行）》奖励【lì】范围【wéi】的，按照不超过总投【tóu】入的25%给予最高【gāo】3000万元奖励【lì】。

　　（六）支持企业购买设计【jì】工具和IP。对半导体及集成电路设【shè】计企业购【gòu】买EDA设计工具【jù】软件的【de】，按照不【bú】超过实际发【fā】生费用的30%给予资【zī】助，其中购买国产EDA设【shè】计工具软件的，按【àn】照不超过实【shí】际发生费用的50%给予资助，每【měi】个企业年度【dù】总【zǒng】额不超过300万元。对企业【yè】购买IP开展高端【duān】芯【xīn】片【piàn】研发，给予【yǔ】不超过IP购买实际支【zhī】付费用最高20%的资助，单个企业每【měi】年总【zǒng】额【é】不超过【guò】200万元。

　　（七）支持企业开【kāi】展首轮流片【piàn】验证【zhèng】。对开展多【duō】项目晶圆（MPW）流【liú】片的半【bàn】导体及【jí】集成电【diàn】路设计企业【yè】，按【àn】照不超过【guò】首轮流【liú】片费【fèi】用（含IP授权、光罩制作、测【cè】试【shì】验证）的60%给予【yǔ】补【bǔ】贴，年度补【bǔ】贴上【shàng】限为300万【wàn】元。对首【shǒu】次【cì】完【wán】成全掩膜（FULLMASK）工程产品流片的企业，按照不超过首轮流片【piàn】费用的50%给予补贴，年度补贴上【shàng】限为500万元【yuán】。对填补我市芯片产业链空白的产品，流片补贴比例上浮不超过10%。

　　（八）支持公【gōng】共【gòng】服务平【píng】台【tái】和产业创新平台建设。支持【chí】高等院校【xiào】、科研机构和【hé】企【qǐ】业联合建设产【chǎn】业公共【gòng】服务平台和产业【yè】创新平台，提供EDA工【gōng】具、IP共享、设计服务、先进【jìn】工【gōng】艺流片、测试验证、人才培训等服务。按【àn】照公共服务平台【tái】和产业创新【xīn】平台实际固定资【zī】产投资额【é】不超过【guò】30%给予资【zī】助，最高资助3000万元。

　　（九）支持【chí】企业开展车【chē】规级认证。对产线或【huò】产品通过AEC-Q100（集成电路）、AEC-Q101（分【fèn】立器件）、AEC-Q200（被动组件【jiàn】）可【kě】靠度标准及ISOTS 16949体系、ISO26262体系等汽车电子车【chē】规级认证的，给【gěi】予每【měi】家企业实际【jì】认证费用不超过50%、最高100万【wàn】元【yuán】的一次性补【bǔ】贴。

　　三、加大金融支持力度

　　（十）强化【huà】产业基金支持。面向半导体及集成电路产业【yè】设立规【guī】模【mó】不少于100亿元的产业基金体【tǐ】系，重【chóng】点支持全市半【bàn】导【dǎo】体及集成电路重大【dà】项目引进及【jí】本地企业新【xīn】（扩【kuò】）建，提高半导体及集【jí】成电路产业投融资水平。

　　（十【shí】一）支持【chí】企业拓宽融资渠道。设立【lì】中小【xiǎo】微企【qǐ】业融资风险补【bǔ】偿基【jī】金，当我市【shì】符合条件的新【xīn】引【yǐn】进【jìn】或增资扩产半导体及集成电路企业贷款出现【xiàn】坏账时，在补偿【cháng】限额内对融【róng】担机构承担损失给予最高50%补偿、对银行机构【gòu】承担损失给予最【zuì】高80%补偿。鼓励银行业金【jīn】融机构对【duì】半【bàn】导【dǎo】体【tǐ】及集成电路企【qǐ】业【yè】给予信贷倾斜【xié】，设立半导体【tǐ】及【jí】集【jí】成电路专项贷款和面向【xiàng】集成电路企业设计金融产品，支持【chí】政府性融【róng】资【zī】担保机构为半导体及集【jí】成电【diàn】路中小企业贷款提供【gòng】担【dān】保。

　　（十二）支【zhī】持【chí】企业上市和并购。经认【rèn】定的上市后备企业，申请在境内外【wài】证券交易所首次公【gōng】开发行股票上市，且申请资【zī】料经【jīng】正式受【shòu】理【lǐ】的，给予【yǔ】一次性300万元奖励，上市【shì】后首发融资【zī】奖励【lì】最高限额600万元【yuán】。符【fú】合条件的上【shàng】市公司通过兼【jiān】并重组【zǔ】，合并【bìng】或控制已设立的【de】、持【chí】续经【jīng】营的企业【yè】，按其交易【yì】金额0.5%进行【háng】奖励，单笔奖励资金不超过200万元。单【dān】家公司累计奖励【lì】金额最高【gāo】500万元。

　　四、支持专业人才引进和培养

　　（十三）加大高端人才引进【jìn】力【lì】度【dù】。支持引【yǐn】进半导体及集【jí】成电路领域重【chóng】大创新团队【duì】和行业领军人才【cái】，符合条件的人才最【zuì】高可获得1000万元【yuán】的【de】购房补贴及35万元生【shēng】活补【bǔ】助，并可享受【shòu】科研、创业、居留和出入境、落户【hù】、住房【fáng】、医疗、社保、子女入学【xué】、税收等方面的优待。对引进【jìn】的特殊【shū】紧缺人才实【shí】行“一人一策”灵活待【dài】遇【yù】政策。

　　（十四）加【jiā】大专业人才支持力度。针对符【fú】合条件的半导体及集成电路材【cái】料、设计【jì】、先进封装测试【shì】、装备【bèi】及零【líng】部件等【děng】关键【jiàn】环节企业，对其年度在莞扣缴申【shēn】报应纳税【shuì】工【gōng】资薪【xīn】金收入超过50万元且担任技术【shù】研发【fā】或工程部门【mén】的经理、功【gōng】能主管、主任工【gōng】程师、资深工程师【shī】、高【gāo】级工程【chéng】师或其他相应职务的研发人【rén】才，按照其年度薪酬等情况给予奖励【lì】，每人每年最【zuì】高奖励100万【wàn】元。

　　（十【shí】五）加大技【jì】能【néng】人才支【zhī】持力度【dù】。对符合条件的半导体【tǐ】及集成电路制造【zào】、封装测试、化合物半导体【tǐ】、装备及材料企业，支持【chí】锻造支撑【chēng】半导体及【jí】集成电【diàn】路产业高质量发展【zhǎn】的【de】技能人才队伍【wǔ】。对在【zài】半导体【tǐ】及集成电路生产制造中从事一线操【cāo】作及【jí】维【wéi】护并符【fú】合申报条件的人员，由企业自主【zhǔ】选拔技术能手【shǒu】，给予每【měi】人每年最【zuì】高10000元工作津贴。

　　（十六【liù】）加大技术人【rén】才培养力度。鼓励半导体及【jí】集成电路企【qǐ】业开展【zhǎn】职业技【jì】能等级认定，经核准，单【dān】个企业【yè】给予最高不超过85万元补贴。支持驻莞高【gāo】校、科研【yán】院所与【yǔ】半导体及集成电路企业建立半【bàn】导【dǎo】体及集成【chéng】电路领【lǐng】域人才培【péi】养基地。对【duì】经【jīng】认定符合条【tiáo】件【jiàn】的人才培养基地项目，根据项目【mù】产出效益情况给予资助。

　　五、其他事项

　　本政策由市发展和改革【gé】局负责解【jiě】释【shì】。执【zhí】行期间如【rú】遇【yù】国家、省、市有关政策及规定调整的，本政策【cè】进【jìn】行相应调【diào】整。本政策涉及新增奖补资【zī】金的，由市、镇按5:5比例共同承担，涉及【jí】奖补条款的执行【háng】范围，具体以当年【nián】发【fā】布的申请指南为【wéi】准，与东莞【wǎn】市【shì】其他同类政策不一致的地【dì】方，按就高、从优、不重复享受的原则执行【háng】。本【běn】政【zhèng】策自【zì】印发之日起【qǐ】实施，有效期3年【nián】。